- Баллистический транзистор
-
Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей много больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать высокочастотные (ТГц диапазон) интегральные схемы, поскольку быстродействие определяется временем пролёта между эмиттером и коллектором или другими словами расстоянием между контактами делённое на скорость электронов. В баллистическом транзисторе скорость электронов определяется фермиевской скоростью, а не дрейфовой скоростью связанной с подвижностью носителей тока. Для реализации такого типа транзистора необходимо исключить рассеяние на дефектах кристалла в токовом канале (включая рассеяние на фононах), что можно достичь только в очень чистых материалах, таких как гетероструктура GaAs/AlGaAs. Двумерный электронный газ сформированный в GaAs квантовой яме обладает высокой подвижностью при низкой температуре и соответственно большей, чем в других материалах длиной свободного пробега, что позволяет создавать при помощи электронной литографии устройства где траекторией электронов можно управлять с помощью затворов или зеркально рассеивающих дефектов, хотя обычный полевой транзистор тоже будет работать, как баллистический (при достаточно малых размерах). Баллистические транзисторы также созданы на основе углеродных нанотрубок
, где благодаря отсутствию обратного рассеяния (длина свободного пробега увеличивается до линейного размера трубки) рабочие температуры даже выше, чем в случае с GaAs.Содержание
Углеродные нанотрубки
Транспорт в одностенных металлических нанотрубках баллистический, но до 2003 года использовать нанотрубки при создании баллистических транзисторов не получалось поскольку не было известно хорошего материала для омического контакта. Между никелем (титаном) и одностенной металлической углеродной нанотрубкой формируется барьер Шоттки. Эту проблему удалось решить благодаря использованию палладия (для p-типа проводимости), который обладает большой работой выхода и лучшей смачиваемостью (однородное распределение палладия по нанотрубке, в отличие от платины)[1]. Такие транзисторы работают при комнатной температуре, хотя при работе в одномодовом режиме сопротивление транзистора в открытом состоянии не меньше чем 6 кОм.
Стиль этой статьи неэнциклопедичен или нарушает нормы русского языка. Статью следует исправить согласно стилистическим правилам Википедии.
Проверить информацию. Необходимо проверить точность фактов и достоверность сведений, изложенных в этой статье.
На странице обсуждения должны быть пояснения.Пример реализации
Вместо, требующего большу́ю мощность управления, полного запирания затвором потока множества медленных электронов, как это делается в обычных полевых транзисторах, в баллистических транзисторах применяется изменение направления ускоряющихся быстрых одиночных электронов электромагнитными силами, требующее значительно меньшую мощность управления. Под действием электрического поля медленные электроны из материала токоподводящего электрода переходят в тонкий сверхпроводящий слой полупроводника транзистора. Медленные электроны, вошедшие в полупроводник, ускоряются электрическим полем схемы на всём пути в полупроводнике. Летящие в тонкой плёнке полупроводника с большой скоростью быстрые электроны не сталкиваются с атомами полупроводника и образуют двумерный электронный газ (не молекулярный). Затем ускоряющиеся электроны отклоняются электрическим или магнитным полем управляющих электродов и направляются по одному из путей. При двух путях, один из путей соответствует логическому "0", а другой - логической "1". Затем быстрые электроны сталкиваются или со стенкой одного из путей или с клиновидным отражателем (дефлектором) отражающими электроны границей полупроводника и донаправляются ими в нужное русло. Название "баллистический" было выбрано для отражения свойства отдельных электронов проходить тонкоплёночный сверхпроводящий слой полупроводника баллистического транзистора без столкновений с атомами полупроводника, действуя в полупроводнике, как двухмерный электронный газ.[2].
История
Первыми баллистическими устройствами были баллистические двухполупериодные выпрямители[3], сделанные из InGaAs–InP гетероструктуры и детектировавшие (выпрямлявшие) переменный ток частотой до 50 ГГц.
Технология
В сверхпроводящей тонкой плёнке полупроводника с названием 2-Dimention Electron Gas (2-DEG, 2DEG) на подложке электронным лучом удаляются ненужные части полупроводника, оставшаяся часть полупроводника является баллистическим двухполупериодным выпрямителем, а при добавлении управляющих электродов — баллистическим дифференциальным усилителем.
Преимущества
Cхемы дифференциального усилителя на двух полевых транзисторах (слева) и дифференциального усилителя на интегральной баллистической паре (справа) (резисторы R, R1 и R2 - внешние и подключаются к выводам Vout+ и Vout-)
Преимуществами являются меньшие размеры, отсутствие дробового шума при низкой температуре[4], меньшая потребляемая мощность и более высокая (терагерцы) частота переключений. Эта технология была впервые разработана в Рочестерском Университете (Штат Нью-Йорк, США), в котором был создан исследовательский прототип, остающийся понятийным до сего времени. Прототип был сделан в Cornell Nanofabrication Facility[5], входящей в партнёрство NNIN НИО США, работающих в области нанотехнологий, с поддержкой Office of Naval Research[2].
Модель и схема двухуровневого двухполярного двоичного логического элемента 2ИЛИ-НЕ на двух BDT дифференциальных парах[6]Этот прототип подобен интегральным дифференциальным парам транзисторов, что определяет возможные области его применения (дифференциальные входные каскады операционных усилителей, компараторов, логические схемы подобные ЭСЛ, эмиттерно-связанные триггеры Шмитта и др.).
См. также
Ссылки
- ↑ Ali Javey, Jing Guo, Qian Wang, Mark Lundstrom & Hongjie Dai Ballistic carbon nanotube field-effect transistors Nature 424, 654 (2003)
- ↑ 1 2 Radical 'ballistic computing' chip bounces electrons like billiards. University of Rochester. Архивировано из первоисточника 18 августа 2012. Проверено 1 января 2012.
- ↑ Room-Temperature Ballistic Nanodevices. Aimin M. Song. Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Manchester Institute of Science and Technology, Manchester M60 1QD, England http://personalpages.manchester.ac.uk/staff/A.Song/publications/Enn.pdf
- ↑ Ya. M. Blanter and M. Büttiker. Shot Noise in Mesoscopic Conductors. Phys. Rep. 336, 1 (2000). [1]
- ↑ The Cornell NanoScale Science & Technology Facility (CNF)
- ↑ Баллистический транзистор. Блок 021
- CMOS Emerging Technology Workshop 2007. Ballistic Transistor Technology – Next Paradigm in IC Design. Martin Margala1, and Quentin Diduck2. 1 University of Massachusetts Lowell. 2 Cornell University http://www.cmoset.com/uploads/12.4.pdf
- Radical 'Ballistic Computing' Chip Bounces Electrons Like Billiards http://www.rochester.edu/news/show.php?id=2585
- Видеоклип с анимацией модели баллистического транзистора http://www.rochester.edu/news/photos/hi_res/BallisticTransistor/BallisticMovie.wmv
- Баллистический транзистор играет электронами в атомный бильярд. Владислав Карелин. membrana, 18 августа 2006 http://www.membrana.ru/particle/3107
- Баллистический транзистор играет электронами в атомный бильярд http://art.thelib.ru/science/inventions/ballisticheskiy_tranzistor_igraet_elektronami_v_atomniy_bilyard.html
- Чип и Дип Видео. Баллистический транзистор. Евгений Глазков http://www.chipdip.ru/video.aspx?vid=ID000309492
- United States Patent No.: US 7,576,353 B2 Aug. 18, 2009 http://www.docstoc.com/docs/57560802/Ballistic-Deflection-Transistor-And-Logic-Circuits-Based-On-Same---Patent-7576353
- Ballistic Deflection Transistors and the Emerging Nanoscale Era. SECTION III BALLISTIC TRANSPORT DEVICES. B. Ballistic Deflection Transistors http://ieeexplore.ieee.org/ieee_pilot/articles/5076158/05117685/article.html
Категория:- Транзисторы
Wikimedia Foundation. 2010.
