- Отечественные микросхемы для построения запоминающих устройств
-
Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований с создаваемому компьютеру, производится выбор типа, вида и конкретной серии микросхем.
Содержание
Сводные данные микросхем, применяемых в СССР для создания памяти компьютера
Полупроводниковые БИС запоминающих устройств, применяемые в ЭВМ Тип микросхемы Технология изготовления Информационный объём, Кбит Организация, слов × разрядов Время выборки адреса, мс Потребляемая мощность, мВт Статические ОЗУ К550РУ145 ЭСЛ 0,064 0,016 К × 1 10 825 К531РУ11П ТТЛШ 0,064 0,016 К × 1 40 550 К155РУ5 ТТЛ 0,256 0,256 К × 1 90 735 К176РУ2 КМОП 0,256 0,256 К × 1 900 19 К561РУ2А/Б КМОП 0,256 0,256 К × 1 970/1600 2,8/5 К132РУ2А/Б n-МОП 1 1 К × 1 950 440 К132РУ3А/Б n-МОП 1 1 К × 1 75/125 660 К155РУ7 ТТЛ 1 1 К × 1 45 840 К537РУ1А/Б/В КМОП 1 1 К × 1 1,3/2/4 0,5 КР565РУ2А/Б n-МОП 1 1 К × 1 450 /850 385 КМ132РУ8А/Б n-МОП 4 К 1 К × 4 60/100 900 К541РУ2А И2Л 4 К 1 К × 4 120/90 525 КР537РУ3А/Б/В КМОП 4 К 4 К × 1 320 110 К541РУ31…34 И2Л 8 К 8 К × 1 150 565 КР537РУ8А/Б КМОП 16 К 2 К × 8 220/400 160 КР132РУ6А/Б n-МОП 16 К 16 К × 1 75/120 140/440 К541РУ3/А И2Л 16 К 16 К × 1 150/100 565 Динамические ОЗУ КР565РУ6Б/В/Г/Д n-МОП 16 К 16 К×1 230…460 150/140/130/120 К565РУ5Б/В/Г/Д n-МОП 64 К 64 К×1 230…460 21…32 К565РУ7В/Г/Д n-МОП 256 К 256 К×1 340/410/500 120…150 Масочные ПЗУ К155РЕ21/22/23/24 ТТЛ 1 К 256×4 70 690 КР568РЕ2 n-МОП 64 К 8 К×8 400 590 К569РЕ1 ТТЛ 64 К 8 К×8 350 640 КР568РЕ3 n-МОП 64 К 16 К×4 800 300 Однократно программируемые ПЗУ КР556РТ1Б ТТЛШ 8 К 2К×4 60 740 КР556РТ16 ТТЛШ 64 К 8К×8 85 1000 КР556РТ17 ТТЛШ 4 К 0,512К×8 50 890 КР556РТ18 ТТЛШ 16 К 2К×8 60 950 Репрограммируемые ПЗУ К573РФ23/24 n-МОП 8К 2К×4 450 200/580 К573РФ33/34 n-МОП 16 К 1К×16 200/580 200/580 К573РФ2 n-МОП 16 К 2К×8 450 200/580 К537РФ5 n-МОП 16 К 2К×8 450 135/580 К573РФ31/32 n-МОП 32 К 2К×16 450 450 К537РФ41/42 n-МОП 32 К 4К×8 500 700 К573РФ43/44 n-МОП 32 К 8К×4 Н/Д Н/Д К573РФ3 n-МОП 64 К 4К×16 450 210/450 К573РФ4 n-МОП 64 К 8К×8 500 200/700 К573РФ6 n-МОП 64 К 8К×8 500 265/870 Дополнительные сведения: Интегрально-инжекционная логикаДополнительные сведения: N-МОПДополнительные сведения: Эмиттерно-связанная логикаДополнительные сведения: Транзисторно-транзисторная логикаДополнительные сведения: Постоянное запоминающее устройствоДополнительные сведения: Оперативная памятьДополнительные сведения: SRAM (память)Дополнительные сведения: DRAMМикросхемы для построения оперативной памяти
ИМС Тип корпуса Примечание Серия К132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В К132РУ3А 4112.16-2 Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс К132РУ3Б 4112.16-2 Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс Серия КМ132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В КМ132РУ3А 201.16-8 Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс КМ132РУ3Б 201.16-8 Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс КМ132РУ5А 2104.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 60 нс КМ132РУ5В 2104.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 55 нс КМ132РУ8А 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 60 нс КМ132РУ8Б 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 100 нс КМ132РУ9А 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 50 нс КМ132РУ9Б 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс Серия КР132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В КР132РУ3А 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс КР132РУ3Б 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс КР132РУ4А 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 33нс КР132РУ4Б 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 50 нс КР132РУ6А 2140Ю.20-3 Статическое ОЗУ 16К×1; 45 нс; 410 мВт КР132РУ6Б 2140Ю.20-3 Статическое ОЗУ 16К×1; 70 нс; 410 мВт КР132РУ7 2140Ю.20-3 Статическое ОЗУ 2К×8; 250 нс Серия КМ185 ТТЛ ОЗУ; +5 В КМ185РУ7 2108.22-1 ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт КМ185РУ7А 2108.22-1 ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт КМ185РУ8 2108.22-1 ОЗУ 256×8; 45 нс; 925 мВт КМ185РУ10 2108.22-1 ОЗУ 16К×1; 50 нс; 750 мВт Серия КР185 ТТЛ ОЗУ; +5В КР185РУ7 210А.22-3 ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт КР185РУ7А 210А.22-3 ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт Серия КР188 КМОП статические ОЗУ КР188РУ2А 238.16-1 Статическое ОЗУ 256×1; 500 нс Серия К537 КМОП статические ОЗУ; +5 В К537РУ3А 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс К537РУ3Б 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс К537РУ4А 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 200 нс; 40мкВт (в режиме хранения информации) К537РУ4Б 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс; 80мкВт (в режиме хранения информации) К537РУ4В 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 500 нс; 80мкВт (в режиме хранения информации) К537РУ13 427.18-2.02 Статическое ОЗУ 1К×4; 150 нс; 60мкВт (в режиме хранения информации) Серия КМ537 КМОП статические ОЗУ; +5 В КМ537РУ1 201.16-15 Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс Серия КР537 КМОП статические ОЗУ; +5 В КР537РУ1 238.16-1 Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс КР537РУ2А 2107.18-4 Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс КР537РУ2Б 2107.18-4 Статическое ОЗУ 4К×1; 430 нс КР537РУ3А 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс; 100 мВт; 5 мкВт (в режиме хранения информации) КР537РУ3Б 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс; 100 мВт; 250 мкВт(в режиме хранения информации) КР537РУ5А 210А.22-3 Статическое ОЗУ 1К×4; 300 нс КР537РУ5Б 210А.22-3 Статическое ОЗУ 1К×4; 400 нс КР537РУ8А 239.24-2 Статическое ОЗУ 2К×8; 220 нс КР537РУ8Б 239.24-2 Статическое ОЗУ 2К×8; 400 нс КР537РУ10А 239.24-2 Статическое ОЗУ 2К×8; 200 нс КР537РУ11А 239.24-2 Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 1,5 мВт (в режиме хранения информации) КР537РУ11Б 239.24-2 Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 2,4 мВт (в режиме хранения информации) КР537РУ13 2107.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 160 нс Серия К541 ТТЛШ-ИИЛ; +5 В К541РТ1 402.16-21 ПЗУ 256×4; 80 нс; 400 мВт К541РУ2 427.18-2.03 Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс К541РУ2А 427.18-2.03 Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс; 525 мВт Серия КР541 ТТЛШ-ИИЛ; +5 В КР541РУ1 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 100 нс; 490 мВт КР541РУ1А 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 70 нс; 450 мВт КР541РУ2 2107.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс; 550 мВт Серия КЕ565 n-МОП-ОЗУ КЕ565РУ1А 2108.22-8 Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, -5, -12 В КЕ565РУ1Б 2108.22-8 Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, -5, -12 В Серия КР565 n-МОП-ОЗУ КР565РУ1А 210А.22-3 Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, -5, -12В КР565РУ1Б 210А.22-3 Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, -5, -12В КР565РУ5В 2103.16-8 Динамическое ОЗУ 64К×1; 150 нс; +5В; 195 мВт КР565РУ5Г 2103.16-8 Динамическое ОЗУ 64К×1; 200 нс; +5В; 185 мВт КР565РУ5Е 2103.16-8 Динамическое ОЗУ около 64К×1; 250 нс; +5В; 160 мВт КР565РУ6Б 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 64К×1; 120 нс; +5В; 140 мВт КР565РУ6В 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 64К×1; 150 нс; +5В; 120 мВт КР565РУ6Г 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 64К×1; 200 нс; +5В; 115 мВт КР565РУ6Д 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 64К×1; 250 нс; +5В; 110 мВт Серия К1500 ЭСЛ с повышенным быстродействием; -4,5 В К1500РУ073 4114.24-3 ОЗУ 64×4, 6 нс; 990 мВт Серия КМ1603 КМ1603РУ1 210А.22-1 Статическое ОЗУ 256×4; 360 нс; 75 мкВт (в режиме хранения информации) К565РУ3
К565РУ3 - электронный компонент, микросхема динамического ОЗУ с произвольным доступом, имеющая ёмкость 16384 бит и организацию 16384х1.
К565РУ7
Микросхема К565РУ7 представляет собой выполненное по полупроводниковой технологии на n-канальных МОП-транзисторах устройство с произвольной выборкой динамического типа ёмкостью 262 144 бит (организация 262 144 ? 1 разряд).
Микросхемы для построения постоянной памяти
ИМС Тип корпуса Примечание Серия КР556 ТТЛШ-ППЗУ; КР556РТ2 2121.28-1 Матрица ПЛМ, 16 входных переменных, 48 конъюкций, 8 выходных переменных, ТС КР556РТ4 238.16-2 ПЗУ 256×4; ОК; 70нс; 683мВт КР556РТ4А 238.16-2 ПЗУ 256×4; ОК; 45нс; 683мВт КР556РТ5 239.24-2 ПЗУ 512×8; ОК; 70нс; 1Вт КР556РТ6 239.24-2 ПЗУ 2Kx8; ОК; 80нс; 1Вт КР556РТ7 239.24-2 ПЗУ 2Kx8; ТС; 80нс; 1Вт КР556РТ16 239.24-2 ПЗУ 8Kx8; ТС; 85нс; 950мВт КР556РТ18 239.24-2 ПЗУ 2Kx8; ТС; 60нс; 900мВт КР556РТ20 239.24-2 ПЗУ 1Kx8; ТС; 30нс; 960мВт Серия КР558 ЭППЗУ; +5, -12В КР558РР1 405.24-7 ЭППЗУ 256×8; 5мкс; 370мВт КР558РР2А 405.24-7 ЭППЗУ 2Кx8; 350нс; 490мВт КР558РР2Б 405.24-7 ЭППЗУ 2Кx8; 700нс; 490мВт КР558РР4 2121.28-5 ЭППЗУ 8Кx8; 400нс; 400мВт КР558ХП1 239.24-2 7-разрядный десятичный счетчик, ЭППЗУ, дешифратор двоичного кода КР558ХП2 2103.16-6 24-разрядный сдвиговый регистр, ЭППЗУ 16×24; 310мВт Серия КР568 МОП-ПЗУ; +5, +12, -5В КР568РЕ1 2120.24-3 ПЗУ статического типа 2Кx8; 700нс КР568РЕ2 2121.28-5 ПЗУ 8Кx8; 250нс; 420мВт КР568РЕ3 2121.28-5 ПЗУ 16Кx8; 550нс; 315мВт Серия 582 ППЗУ КР568РЕ2 2121.28-5 ПЗУ 8Кx8; 250нс; 420мВт КР568РЕ3 2121.28-5 ПЗУ 16Кx8; 550нс; 315мВт Серия 583 ППЗУ К573РР2 2120.24-1.02 ЭППЗУ 2Кx8; 350нс; +5В; 590мВт К573РР21 2120.24-1.02 ЭППЗУ 1Кx8; 350нс; +5В; 590мВт К573РР22 2120.24-1.02 ЭППЗУ 1Кx8; 350нс; +5В; 590мВт К573РФ1 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 820мВт К573РФ2 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; 440мВт К573РФ3 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 400нс; +5В; 200мВт К573РФ3А 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 550нс; +5В; 446мВт К573РФ3Б 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 800нс; +5В; 446мВт К573РФ4А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300нс; +5В; 650мВт К573РФ4Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450нс; +5В; 650мВт К573РФ5 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; +5В; 525мВт К573РФ6А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300нс; +5В; 790мВт К573РФ6Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450нс; +5В; 790мВт К573РФ7 2121.28-6 ППЗУ с УФ-стиранием 32Кx8; 300нс; 600мВт К573РФ11 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450нс; 820мВт К573РФ12 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450нс; 820мВт К573РФ13 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 820мВт К573РФ14 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 820мВт К573РФ21 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 440мВт К573РФ22 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 440мВт К573РФ23 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; 440мВт К573РФ24 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; 440мВт К573РФ31 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400нс; 400мВт К573РФ32 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400нс; 400мВт К573РФ33 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400нс; 400мВт К573РФ34 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx16; 400нс; 400мВт К573РФ41А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 650мВт К573РФ41Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 650мВт К573РФ42А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 650мВт К573РФ42Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 650мВт К573РФ43А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 650мВт К573РФ43Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 650мВт К573РФ44А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 650мВт К573РФ44Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 650мВт К573РФ61А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 790мВт К573РФ61Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 790мВт К573РФ62А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 790мВт К573РФ62Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 790мВт К573РФ63А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 790мВт К573РФ63Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 790мВт К573РФ64А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 790мВт К573РФ64Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 790мВт Ссылки
1. Музей электронных раритетов — http://www.155la3.ru/k565ru3.htm
Литература
- Алишов Надир Исмаил-оглы, Нестеренко Николай Васильевич, Новиков Борис Васильевич, Реутов Владимир Борисович, Романов Владимир Александрович, Цвентух Фёдор Андреевич, Яковлев Юрий Сергеевич Глава 2.3 БИС ЗУ для построения внутренней памяти // Справочник по персональным ЭВМ / Под. ред. чл.-корр. АН УССР Б.Н.Малиновского — К.: «Тэхника», 1990. — 384 с. — 45 000 экз. — ISBN 5-335-00168-2.
Микросхемы, производившиеся в СССР Технологии РТЛ • ДТЛ • ТТЛ • ЭСЛ • N-МОП • КМОП • И3Л Система
обозначения по
ГОСТ 18682-73Конструктивно-
технологическое
исполнение1; 5; 7 — полупроводниковая • 2; 4; 6; 8 — гибридная • 3 — прочие Серия 100 • 101 • 104 • 106 • 108 • 109 • 110 • 113 • 114 • 115 • 118 • 119 • 120 • 121 • 122 • 123 • 124 • 128 • 129 • 130 • 131 • 133 • 134 • 136 • 137 • 138 • 140 • 141 • 142 • 144 • 146 • 149 • 153 • 155 • 157 • 158 • 159 • 162 • 166 • 167 • 172 • 173 • 174 • 176 • 177 • 178 • 187 • 190 • 198 • 201 • 204 • 210 • 217 • 218 • 223 • 224 • 226 • 228 • 229 • 230 • 237 • 243 • 264 • 265 • 284 • 504 • 511 • 580 • 1801 • 1810 • 1839 Выполняемая
функцияВторичные источники питания — Е Выпрямители ЕВ • Преобразователи ЕМ • Стабилизаторы: напряжения ЕН • тока ЕТ • Прочие ЕП Генераторы сигналов — Г Гармонических ГС • Прямоугольных (мультивибраторы) ГГ • Линейно-изменяющихся ГЛ • Специальной формы ГФ • Шума ГМ • Прочие ГП Детекторы — Д Амплитудные ДА • Импульсные ДИ • Частотные ДС • Фазовые ДФ • Прочие ДП Коммутаторы и ключи — К Тока КТ • Напряжения КН • Прочие КП Логические элементы — Л И ЛИ • ИЛИ ЛЛ • НЕ ЛН • И-ИЛИ ЛС • И-НЕ/ИЛИ-НЕ ЛБ • И-ИЛИ-НЕ ЛР • И-ИЛИ-НЕ/И-НЕ ЛК • ИЛИ-НЕ/ИЛИ ЛМ • Расширители ЛД • Прочие ЛП Микросборки,
наборы элементов — НДиодов НД • Транзисторов НТ • Резисторов НР • Конденсаторов НЕ • Комбинированные НК • Прочие НП Многофункциональные
микросхемы — ХАналоговые ХА • Цифровые ХЛ • Комбинированные ХК • Прочие ХП Модуляторы — М Амплитудные МА • Частотные МС • Фазовые МФ • Импульсные МИ • Прочие МП Преобразователи — П Частоты ПС • Фазы ПФ • Длительности ПД • Напряжения ПН • Мощности ПМ • Уровня (согласователи) ПУ • Код-аналог ПА • Аналог-код ПВ • Код-код ПР • Прочие ПП Схемы задержки — Б Пассивные БМ • Активные БР • Прочие БП Схемы селекции
и сравнения — САмплитудные (уровня сигнала) СА • Временные СВ • Частотные СС • Фазовые СВ • Прочие СП Триггеры — Т JK-типа ТВ • RS-типа (с раздельным запуском) ТР • D-типа ТМ • T-типа ТТ • Динамические ТД • Шмитта ТЛ • Комбинированные ТК • Прочие ТП Усилители — У Высокой частоты УВ • Промежуточной частоты УР • Низкой частоты УН • Импульсных сигналов УИ • Повторители УЕ • Считывания и воспроизведения УЛ • Индикации УМ • Постоянного тока УТ • Операционные и дифференциальные УД • Прочие УП Фильтры — Ф Верхних частот ФВ • Нижних частот ФН • Полосовые ФЕ • Режекторные ФР • Прочие ФП Формирователи — А Импульсов прямоугольной формы АГ • Адресных токов (формирователи напряжений и токов) АА • Импульсов специальной формы АФ • Разрядных токов (формирователи напряжений и токов) АР • Прочие АП Элементы
арифметических
устройств — ИРегистры ИР • Сумматоры ИМ • Полусумматоры ИЛ • Счётчики ИЕ • Шифраторы ИВ • Дешифраторы ИД • Комбинированные ИК • Прочие ИП Элементы запоминающих устройств — Р Матрицы-накопители ОЗУ РМ • Матрицы-накопители ПЗУ РВ • Матрицы-накопители ОЗУ со схемами управления РУ • Матрицы-накопители ПЗУ со схемами управления РЕ • ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием РФ • Матрицы различного назначения РП Тип корпуса
(ГОСТ 17467-72)Тип 1 • Тип 2 • Тип 3 • Тип 4 • Производители Ангстрем • Алмаз • ВНИИС • ЕРЗ • ИРЗ • Интеграл • Полёт • МНИИПА • НИИЭТ • МЦСТ Категории:- История компьютерной техники
- Цифровые интегральные схемы
- Запоминающие устройства
Wikimedia Foundation. 2010.
Полезное
Смотреть что такое "Отечественные микросхемы для построения запоминающих устройств" в других словарях:
К565РУ3 — Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований с создаваемому… … Википедия
К565РУ1 — электронный компонент, микросхема динамического ОЗУ с произвольным доступом, имеющая ёмкость 4096 бит и организацию 4096х1. Предназначена для хранения информации (программ и данных) в микропроцессорных устройствах. Является полным аналогом… … Википедия
Запоминающее устройство с произвольным доступом — (сокращённо ЗУПД; также Запоминающее устройство с произвольной выборкой, сокращённо ЗУПВ; англ. Random Access Memory) один из видов памяти компьютера, позволяющий единовременно получить доступ к любой ячейке (всегда за одно и то же время,… … Википедия
К565РУ7 — Выпущенная во второй половине 80 х годов микросхема К565РУ7 представляет собой выполненное по полупроводниковой технологии на n канальных МОП транзисторах устройство с произвольной выборкой динамического типа ёмкостью 262 144 бит… … Википедия
К1810ВМ86 — К1810ВМ86 >> Центральный процессор Микропроцессор К1810ВМ86 … Википедия